逆压电效应又叫做电声效应,这种效应超神奇!

薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特性与进展

薄膜体声波谐振器(FBAR)不同于传统的滤波器,它采用硅底板,结合MEMS(微机电系统)技术和薄膜技术制造而成。在无线收发器中,它实现了镜像消除、寄生滤波和信道选择等功能,拥有较高的Q值和易于微型化的特点。近年来,薄膜体声波谐振器技术受到了广泛关注。

我们来了解一下这种技术的特点。薄膜体声波谐振器是通过压电薄膜的逆压电效应将电能量转换成声波而形成谐振。它具有体积小、成本低、品质因数(Q)高、功率承受能力强、频率高等特点,且能够与集成电路技术兼容。尤其适用于工作在1-10 GHz的射频系统应用,有望在未来无线通讯系统中取代传统的声表面波器件和微波陶瓷器件。它在新一代的无线通信系统和超微量生化检测领域具有广阔的应用前景。

接下来是薄膜体声波谐振器的应用方向。这种电路主要用于微波信号的产生、放大、控制和信息处理。在民用商业领域,如移动电话、无线通信、个人卫星通信网、全球定位系统、直播卫星接收和毫米波自动防撞系统等,已形成巨大市场。它在各种先进的战术导弹、电子战系统、通信系统、陆海空基的各种先进相控阵雷达(特别是机载和星载雷达)等军事装备中也有广泛应用。

至于薄膜体声波谐振器的研究进展,自1965年以来,这项技术已经取得了长足的进步。从最初的布拉格反射形薄膜谐振器,到采用硅刻蚀技术和键合技术构造的使压电膜悬空的密封腔薄膜体声波谐振器,再到利用布拉格反射层技术得到的体声波谐振器,其频率、Q值等性能参数不断提高。近年来,各大公司和科研机构纷纷投入研发,取得了许多重要成果。例如,Agilent Technologies公司利用AIN FBAR制造的Duplexer已经开始销售,其Q值高达2500。韩国和日本的科研机构也取得了许多重要研究成果,如高Q值、低插损的AINTFBAR等。

薄膜体声波谐振器因其独特的优点和广泛的应用前景而备受关注。随着技术的不断进步,它在未来无线通讯系统中的作用将更加重要。阅读本文用时约几分钟,转发只需一秒钟。让我们共同分享这一智慧与美德!