2022年3月31日，中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）正式发布一款采用尖端技术打造的150V N沟道功率MOSFET产品——TPH9R00CQH。这款新型器件基于东芝最新研发的[1]“U-MOSX-H”制造工艺，主要面向工业设备中的开关电源系统，涵盖了数据中心电源以及通信基站电源等关键领域。该产品现已全面启动批量生产与出货流程。
相较于采用当前代际“U-MOSⅧ-H”工艺的150V同类产品TPH1500CNH，TPH9R00CQH在漏源导通电阻方面实现了显著优化，降幅高达42%。这一成就得益于对新型MOSFET结构的精心设计，成功在源漏导通电阻与两项电荷特性[2]之间达成理想平衡[3]，从而造就了卓越的低损耗表现。不仅如此，该器件在开关操作期间能有效降低漏极与源极之间的尖峰电压，进而有助于削减开关电源系统产生的电磁干扰（EMI）。产品提供两种表面贴装封装形式：SOP Advance和更广泛应用的SOP Advance（N）。
同步推出的是，东芝还配备了多种实用工具，全力支持开关电源的电路设计工作。除了能够迅速验证电路功能的基础G0 SPICE模型外，新增的高精度G2 SPICE模型能够精准模拟瞬态特性，为设计者提供更可靠的参考依据。
东芝将持续拓展其MOSFET产品矩阵，通过进一步降低能耗损耗，全面提升设备电源效率，助力客户实现更优化的能源管理。
- 适用领域：
– 通信设备电源系统
– 高效率开关电源（例如DC-DC转换器等）
- 核心优势：
– 显著的低损耗性能（在导通电阻、栅极开关电荷及输出电荷三者间实现完美平衡）
– 出色的导通电阻表现：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）@VGS＝10V
– 极高的额定结温：Tch（最大值）＝175℃
- 关键参数：
（除非特别注明，所有参数均基于Ta＝25℃的测试条件）
注：
[1] 数据来源于东芝截至2022年3月的内部调研报告。
[2] 指的是栅极开关电荷与输出电荷。
[3] 与现有产品TPH1500CNH（采用U-MOSⅧ-H系列工艺）相比，本款产品在漏源导通电阻×栅开关电荷的指标上提升了约20%，在漏源导通电阻×输出电荷的指标上则提升了约28%。
欲获取关于这款新产品的详尽信息，请访问以下链接：
TPH9R00CQH产品页面
https://toshiba-semiconductor-storage.com/cn/semiconductor/product/intelligent-power-ics/detail.TPH9R00CQH.html
欲了解东芝更多MOSFET产品信息，请访问以下链接：
MOSFET产品系列页面
https://toshiba-semiconductor-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html
欲获取关于高精度SPICE模型（G2模型）的详细资料，请访问以下链接：
G2模型说明页面
https://toshiba-semiconductor-storage.com/cn/semiconductor/knowledge/highlighted-contents/articles/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately.html
欲查询该产品在线分销商的库存情况，请访问以下链接：
TPH9R00CQH库存查询
https://toshiba-semiconductor-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH9R00CQH.html
*本声明中提及的所有公司名称、产品名称及服务名称均可能为其各自持有者的注册商标。
*本文件所包含的产品价格、规格、服务内容以及联系方式等信息，在发布之日均为最新有效，但如有调整，我们将不再另行通知。
更多产品资讯，敬请关注“东芝半导体”官方微信公众号获取最新动态